АОТ110А АОТ110Б АОТ110В АОТ110Г оптопара

оптопари транзисторні АОТ110

Вхідна напруга за Iвх = 25 мА, не більш ніж 2 В

Вихідна залишкова напруга за Iвх = 25 мА, Iвих = 100 мА для АОТ110Б, АОТ110В, ЗОТ110Б, ЗОТ110В, Iових = 200 мА для АОТ110А, АОТ110Г, ЗОТ110А, ЗОТ110Г, не більш ніж: 1,5 В

Струм витоку на виході за Iвх = 0, Т = +25 °C, Uком = 15 В для АОТ110Г, ЗОТ110Г, Uком = 50 В для АОТ110А, ЗОТ110А, АОТ110Б, ЗОТ110Б, АОТ110В, ЗОТ110В, не більш ніж: 110 мкА

Опір ізоляції за Uіз = 100 В, не менш ніж 109 Ом

Граничні експлуатаційні даніКомутована напруга:
АОТ110А, ЗОТ110А, АТ110В, ЗОТ110В 30 В
АОТ110Б, ЗОТ110Б 50 В
АОТ110Г, ЗОТ110Г 15 В

Напруга ізоляції 100 В

Зворотна вхідна напруга 0,7 В

Постійний вхідний струм1 за Т = –60...+35 °C 30 мА

Імпульсний вхідний струм 2 за ti ≤ 10 мкс, Т = – 60...+35 °C 100 мА

Постійний вихідний струм за Т = –60...+35 °C:
АОТ110А, ЗОТ110А, АТ110Г, ЗОТ110Г 200 мА
АОТ110Б, ЗОТ110Б, АОТ110В, ЗОТ110В 100 мА

Змінний вихідний струм за ti ≤ 10 мс:
АОТ110А, ЗОТ110А, АТ110Г, ЗОТ110Г 200 мА
АОТ110Б, ЗОТ110Б, АОТ110В, ЗОТ110В 100 мА

Середня розсіювана потужність3 за Т = -60...+35 °C 360 мВт

Температура довкілля —60...+70 °C


1 В діапазоні температур довкілля +35...+70 °C Iвх макс знижується лінійно з коефіцієнтом 0,43 мА/°С.

2 у разі зміни тривалості імпульсу від 10-5 до 10-2 і температури довкілля в діапазоні +35...+70 °C Iвх. і. макс визначається за формулою: Iвх. і. макс = (70 / 3) lg (10-2 / tі) — (3T / 7) + 45, мА.

3 за температури довкілля понад +35 °C допустима розсіювана потужність визначається за формулою: Pрс макс = RT (80-T), мВт, де RT = 8,0 мВт/°С.
Графіки залежностей параметрів